maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / PEMD20,115
Référence fabricant | PEMD20,115 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PEMD20,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PEMD20,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-666 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD20,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PEMD20,115-FT |
NSVMUN5137DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5211DW1T2G
ON Semiconductor
NSVMUN5213DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5233DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5312DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN531335DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5334DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5112DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5116DW1T1G
ON Semiconductor
XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
10M16DCF256I6G
Intel
5SEEBH40I4N
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation