maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / NSVMUN5211DW1T2G
Référence fabricant | NSVMUN5211DW1T2G |
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Numéro de pièce future | FT-NSVMUN5211DW1T2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NSVMUN5211DW1T2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 385mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5211DW1T2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSVMUN5211DW1T2G-FT |
NSTB1002DXV5T1G
ON Semiconductor
NSVEMC2DXV5T1G
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EMG2DXV5T5G
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EMA6DXV5T1
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XC2S100-5PQ208I
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M1AFS250-FG256
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LFE5UM-45F-8BG381C
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5SGXEA5K3F40C4N
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10CX150YF672I5G
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5SGSMD6N1F45C2LN
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XC4VLX100-12FF1148C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-FGG144I
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