maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / PEMD19,115
Référence fabricant | PEMD19,115 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PEMD19,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PEMD19,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-666 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD19,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PEMD19,115-FT |
NSB4904DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5113DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5133DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5137DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5211DW1T2G
ON Semiconductor
NSVMUN5213DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5233DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5312DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN531335DW1T3G
ON Semiconductor
XC4028XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-2XB
Intel
XC7K325T-2FFG900C
Xilinx Inc.
LFEC33E-4F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400BC652-2
Intel