maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / PEMB11,115
Référence fabricant | PEMB11,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PEMB11,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PEMB11,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | 180MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-666 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMB11,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PEMB11,115-FT |
SMUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5114DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5133DW1T1G
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MUN5215DW1T1G
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MUN5330DW1T1G
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SMUN5114DW1T1G
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SMUN5214DW1T1G
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EP20K100ETC144-1
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XC3S500E-4FG320I
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XC7A75T-1FGG676I
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M1AGL250V2-VQG100I
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EP2C5F256C7
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XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
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EP2AGX260FF35I3
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EP20K300ERC208-2X
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