maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / PEMB10,115
Référence fabricant | PEMB10,115 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PEMB10,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PEMB10,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-666 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMB10,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PEMB10,115-FT |
SMUN5214DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5335DW1T2G
ON Semiconductor
NSBA113EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5314DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5211DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5332DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5113DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5216DW1T1G
ON Semiconductor
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCG1152E
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1
Intel
EP2AGX125DF25C5
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
5SGXEA7H2F35C3N
Intel
XC6VLX240T-1FF784C
Xilinx Inc.