maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / PDTA143ZT,215
Référence fabricant | PDTA143ZT,215 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PDTA143ZT,215 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PDTA143ZT,215 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 250mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA143ZT,215 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PDTA143ZT,215-FT |
PDTA144WU,115
Nexperia USA Inc.
PDTB113EUF
Nexperia USA Inc.
PDTB113EUX
Nexperia USA Inc.
PDTB113ZUF
Nexperia USA Inc.
PDTB113ZUX
Nexperia USA Inc.
PDTB114EUF
Nexperia USA Inc.
PDTB114EUX
Nexperia USA Inc.
PDTB123EUF
Nexperia USA Inc.
PDTB123EUX
Nexperia USA Inc.
PDTB123YUF
Nexperia USA Inc.
AGLN020V2-CSG81I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FC256-2N
Intel
5SGXMBBR3H43I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3L
Intel
XA7A50T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30DF780C5
Intel