maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / PDTB113EUX
Référence fabricant | PDTB113EUX |
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Numéro de pièce future | FT-PDTB113EUX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PDTB113EUX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 1 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 140MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB113EUX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PDTB113EUX-FT |
DDTB122TU-7
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EP1C3T144C7N
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XC2VP70-5FF1517C
Xilinx Inc.
EP3SE50F484C3N
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EP3CLS70F484I7N
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5SGXEA5N2F45C2N
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XC6VLX75T-L1FFG784C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB5D4F35I5N
Intel
EP20K300EBC652-2X
Intel