maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NVMFS5C450NWFT3G
Référence fabricant | NVMFS5C450NWFT3G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NVMFS5C450NWFT3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NVMFS5C450NWFT3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 65µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.6W (Ta), 68W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C450NWFT3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NVMFS5C450NWFT3G-FT |
NVMFS4C01NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS4C03NT3G
ON Semiconductor
NVMFS4C03NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS4C05NT3G
ON Semiconductor
NVMFS4C05NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5826NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5826NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5826NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5826NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLT1G
ON Semiconductor
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel