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ON Semiconductor NVMFS4C05NWFT3G

Name: NVMFS4C05NWFT3G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFS4C05NWFT3G
Availability: InStock
Rating: 4.5 (34 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVMFS4C05NWFT3G

quantité disponible: 22870 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVMFS4C05NWFT3G.pdf

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NVMFS4C05NWFT3G Caractéristiques

Référence fabricant	NVMFS4C05NWFT3G
Numéro de pièce future	FT-NVMFS4C05NWFT3G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NVMFS4C05NWFT3G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	24.7A (Ta), 116A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1972pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.61W (Ta), 79W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS4C05NWFT3G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVMFS4C05NWFT3G-FT

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