maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NVMFS5A140PLZT3G
Référence fabricant | NVMFS5A140PLZT3G |
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Numéro de pièce future | FT-NVMFS5A140PLZT3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS5A140PLZT3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Ta), 140A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 136nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7400pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5A140PLZT3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NVMFS5A140PLZT3G-FT |
NVMFS5C404NWFAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLWFAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NWFAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C423NLAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C423NLWFAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C426NAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C426NWFAFT1G
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel