maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NVMFS5C410NLWFAFT1G
Référence fabricant | NVMFS5C410NLWFAFT1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NVMFS5C410NLWFAFT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS5C410NLWFAFT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Ta), 330A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.82 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8862pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.8W (Ta), 167W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C410NLWFAFT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NVMFS5C410NLWFAFT1G-FT |
NVMFS4C05NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5832NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5834NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5834NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5844NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NLAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C423NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C466NT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C604NLWFAFT1G
ON Semiconductor
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel