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ON Semiconductor NVMFS5832NLT1G

Numéro de pièce MFG
NVMFS5832NLT1G
quantité disponible
33960 Pièces
Prix de référence
USD 0.539088
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NVMFS5832NLT1G.pdf
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NVMFS5832NLT1G Caractéristiques

Référence fabricant NVMFS5832NLT1G
Numéro de pièce future FT-NVMFS5832NLT1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NVMFS5832NLT1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS5832NLT1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NVMFS5832NLT1G-FT

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