maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / NTUD3170NZT5G
Référence fabricant | NTUD3170NZT5G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NTUD3170NZT5G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTUD3170NZT5G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 220mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12.5pF @ 15V |
Puissance - Max | 125mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-963 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-963 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTUD3170NZT5G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTUD3170NZT5G-FT |
QH8JA1TCR
Rohm Semiconductor
QH8KA1TCR
Rohm Semiconductor
QH8KA2TCR
Rohm Semiconductor
QH8MA2TCR
Rohm Semiconductor
QH8MA3TCR
Rohm Semiconductor
QH8MA4TCR
Rohm Semiconductor
QS8J11TCR
Rohm Semiconductor
QS8J12TCR
Rohm Semiconductor
QS8J13TR
Rohm Semiconductor
QS8J1TR
Rohm Semiconductor