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ON Semiconductor NTQS6463R2

Numéro de pièce MFG
NTQS6463R2
quantité disponible
63160 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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NTQS6463R2 Caractéristiques

Référence fabricant NTQS6463R2
Numéro de pièce future FT-NTQS6463R2
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTQS6463R2 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 5V
Vgs (Max) ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 930mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-TSSOP
Paquet / caisse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTQS6463R2 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTQS6463R2-FT

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