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ON Semiconductor NTP8G202NG

Name: NTP8G202NG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTP8G202NG
Availability: InStock
Rating: 4.9 (330 reviews)

Numéro de pièce MFG: NTP8G202NG

quantité disponible: 10070 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NTP8G202NG.pdf

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NTP8G202NG Caractéristiques

Référence fabricant	NTP8G202NG
Numéro de pièce future	FT-NTP8G202NG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NTP8G202NG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	65W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTP8G202NG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NTP8G202NG-FT

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