maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NTP45N06LG
Référence fabricant | NTP45N06LG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NTP45N06LG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTP45N06LG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 45A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 22.5A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.4W (Ta), 125W (Tj) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTP45N06LG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTP45N06LG-FT |
TK16J60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20J60U(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31J60W5,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7J90E,S1E
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9J90E,S1E
Toshiba Semiconductor and Storage
WPB4002
ON Semiconductor
SFT1342-W
ON Semiconductor
SFT1341-E
ON Semiconductor
SFT1341-W
ON Semiconductor
SFT1345-H
ON Semiconductor
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.