maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SFT1341-E
Référence fabricant | SFT1341-E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SFT1341-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SFT1341-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta), 15W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | IPAK/TP |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFT1341-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SFT1341-E-FT |
2SK2967(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2995(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3128(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3746
ON Semiconductor
2SK3906(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK4124
ON Semiconductor
2SK4125
ON Semiconductor
2SK4126
ON Semiconductor
2SK4209
ON Semiconductor
2SK4210
ON Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel