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ON Semiconductor NTMFS5H425NLT1G

Name: NTMFS5H425NLT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMFS5H425NLT1G
Price: 0.50252 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (660 reviews)

Numéro de pièce MFG: NTMFS5H425NLT1G

quantité disponible: 20130 Pièces

Prix de référence: USD 0.50252

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - T8 40V LOW COSS

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NTMFS5H425NLT1G.pdf

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NTMFS5H425NLT1G Caractéristiques

Référence fabricant	NTMFS5H425NLT1G
Numéro de pièce future	FT-NTMFS5H425NLT1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NTMFS5H425NLT1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	25A (Ta), 118A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1950pF @ 20V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3W (Ta), 69W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse	8-PowerTDFN, 5 Leads
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS5H425NLT1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NTMFS5H425NLT1G-FT

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