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ON Semiconductor NTMFS4H013NFT1G

Name: NTMFS4H013NFT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMFS4H013NFT1G
Price: 1.0208 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (608 reviews)

Numéro de pièce MFG: NTMFS4H013NFT1G

quantité disponible: 25260 Pièces

Prix de référence: USD 1.0208

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NTMFS4H013NFT1G.pdf

NTMFS4H013NFT1G Caractéristiques

Référence fabricant	NTMFS4H013NFT1G
Numéro de pièce future	FT-NTMFS4H013NFT1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NTMFS4H013NFT1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	43A (Ta), 269A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3923pF @ 12V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.7W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4H013NFT1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NTMFS4H013NFT1G-FT

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