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ON Semiconductor NVMFS4C01NWFT1G

Numéro de pièce MFG
NVMFS4C01NWFT1G
quantité disponible
54540 Pièces
Prix de référence
USD 0.9154
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NVMFS4C01NWFT1G.pdf
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NVMFS4C01NWFT1G Caractéristiques

Référence fabricant NVMFS4C01NWFT1G
Numéro de pièce future FT-NVMFS4C01NWFT1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NVMFS4C01NWFT1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 49A (Ta), 319A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 139nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10144pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS4C01NWFT1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NVMFS4C01NWFT1G-FT

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