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ON Semiconductor NTMFS4833NAT1G

Numéro de pièce MFG
NTMFS4833NAT1G
quantité disponible
24730 Pièces
Prix de référence
USD 1.4784
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 191A SO8FL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NTMFS4833NAT1G.pdf
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NTMFS4833NAT1G Caractéristiques

Référence fabricant NTMFS4833NAT1G
Numéro de pièce future FT-NTMFS4833NAT1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTMFS4833NAT1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta), 191A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 11.5V
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 12V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4833NAT1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTMFS4833NAT1G-FT

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