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ON Semiconductor NVTFS5826NLTWG

Numéro de pièce MFG
NVTFS5826NLTWG
quantité disponible
48280 Pièces
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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NVTFS5826NLTWG Caractéristiques

Référence fabricant NVTFS5826NLTWG
Numéro de pièce future FT-NVTFS5826NLTWG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NVTFS5826NLTWG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 7.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 22W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquet / caisse 8-PowerWDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVTFS5826NLTWG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NVTFS5826NLTWG-FT

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