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ON Semiconductor NTJS3151PT1G

Numéro de pièce MFG
NTJS3151PT1G
quantité disponible
35050 Pièces
Prix de référence
USD 0.09048
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NTJS3151PT1G.pdf
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NTJS3151PT1G Caractéristiques

Référence fabricant NTJS3151PT1G
Numéro de pièce future FT-NTJS3151PT1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTJS3151PT1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 12V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 625mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Paquet / caisse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTJS3151PT1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTJS3151PT1G-FT

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