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Référence fabricant | CPH3350-TL-W |
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Numéro de pièce future | FT-CPH3350-TL-W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CPH3350-TL-W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 375pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 3-CPH |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CPH3350-TL-W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CPH3350-TL-W-FT |
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5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
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