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Référence fabricant | NTDV20P06LT4G |
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Numéro de pièce future | FT-NTDV20P06LT4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTDV20P06LT4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 7.5A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 65W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTDV20P06LT4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTDV20P06LT4G-FT |
FDD9507L-F085
ON Semiconductor
FDD9509L-F085
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NTD20N06LT4G
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NVD5C478NLT4G
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XC7A15T-2FTG256C
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A3P1000-1FGG144I
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AGL600V2-FG144I
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EP2AGX125EF29C6N
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