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ON Semiconductor NVD5C478NT4G

Name: NVD5C478NT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVD5C478NT4G
Price: 0.250992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (406 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVD5C478NT4G

quantité disponible: 84400 Pièces

Prix de référence: USD 0.250992

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101 T6 40V DPAK EXPANSION AND

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVD5C478NT4G.pdf

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NVD5C478NT4G Caractéristiques

Référence fabricant	NVD5C478NT4G
Numéro de pièce future	FT-NVD5C478NT4G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
NVD5C478NT4G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	14A (Ta), 43A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 30µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK (SINGLE GAUGE)
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVD5C478NT4G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVD5C478NT4G-FT

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