maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NTD4865NT4G
Référence fabricant | NTD4865NT4G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NTD4865NT4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTD4865NT4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.5A (Ta), 44A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 827pF @ 12V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.27W (Ta), 33.3W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD4865NT4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTD4865NT4G-FT |
NTD5865N-1G
ON Semiconductor
NTD6600N
ON Semiconductor
NTD6600NT4
ON Semiconductor
NTDV18N06LT4G
ON Semiconductor
NTDV20N06T4G
ON Semiconductor
NTDV20P06LT4G
ON Semiconductor
NTDV2955PT4G
ON Semiconductor
NVD20N03L27T4G
ON Semiconductor
NVD5802NT4G
ON Semiconductor
NVD5802NT4G-TB01
ON Semiconductor
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel