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ON Semiconductor NTD4809NAT4G

Numéro de pièce MFG
NTD4809NAT4G
quantité disponible
14620 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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NTD4809NAT4G Caractéristiques

Référence fabricant NTD4809NAT4G
Numéro de pièce future FT-NTD4809NAT4G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTD4809NAT4G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1456pF @ 12V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DPAK
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTD4809NAT4G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTD4809NAT4G-FT

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