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NTD3055L170G Image

ON Semiconductor NTD3055L170G

Numéro de pièce MFG
NTD3055L170G
quantité disponible
91770 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NTD3055L170G.pdf
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NTD3055L170G Caractéristiques

Référence fabricant NTD3055L170G
Numéro de pièce future FT-NTD3055L170G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTD3055L170G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V
Vgs (Max) ±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DPAK
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTD3055L170G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTD3055L170G-FT

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