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ON Semiconductor NTBS2D7N06M7

Numéro de pièce MFG
NTBS2D7N06M7
quantité disponible
52780 Pièces
Prix de référence
USD 1.930504
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NTBS2D7N06M7.pdf
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NTBS2D7N06M7 Caractéristiques

Référence fabricant NTBS2D7N06M7
Numéro de pièce future FT-NTBS2D7N06M7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTBS2D7N06M7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6655pF @ 30V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 176W (Tj)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTBS2D7N06M7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTBS2D7N06M7-FT

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