maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / NSVMMUN2113LT3G
Référence fabricant | NSVMMUN2113LT3G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NSVMMUN2113LT3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSVMMUN2113LT3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 246mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMUN2113LT3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSVMMUN2113LT3G-FT |
MUN2216T1G
ON Semiconductor
MUN2234T1G
ON Semiconductor
SMMUN2134LT1G
ON Semiconductor
MMUN2135LT1G
ON Semiconductor
MUN2215T1G
ON Semiconductor
MMUN2134LT1G
ON Semiconductor
SMUN2216T1G
ON Semiconductor
SMMUN2211LT3G
ON Semiconductor
MMUN2233LT1G
ON Semiconductor
MUN2235T1G
ON Semiconductor
A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208A
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100A
Microsemi Corporation
5SGXEA5K3F35C3N
Intel
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016AQC208-3N
Intel
5SGSMD4H2F35C1N
Intel