maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / MMUN2135LT1G
Référence fabricant | MMUN2135LT1G |
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Numéro de pièce future | FT-MMUN2135LT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMUN2135LT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 246mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 (TO-236AB) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMUN2135LT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMUN2135LT1G-FT |
UNR921TG0L
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UNR92A0G0L
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UNR92A1G0L
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AGLN020V5-CSG81I
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A3P250-PQG208I
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5SGXMA3K3F35C2LN
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Xilinx Inc.