maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / NSBA123TF3T5G
Référence fabricant | NSBA123TF3T5G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NSBA123TF3T5G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSBA123TF3T5G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 254mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-1123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-1123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA123TF3T5G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSBA123TF3T5G-FT |
NSVMMUN2232LT1G
ON Semiconductor
SMMUN2214LT1G
ON Semiconductor
MMUN2116LT1G
ON Semiconductor
SMMUN2213LT1G
ON Semiconductor
MMUN2112LT1G
ON Semiconductor
MUN2213T1G
ON Semiconductor
NSVMMUN2212LT1G
ON Semiconductor
SMMUN2113LT1G
ON Semiconductor
SMMUN2114LT1G
ON Semiconductor
SMUN2114T1G
ON Semiconductor
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4TG144CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF8282ATC100-2
Intel
EP4CE10F17I7N
Intel
5SGSMD5K2F40I3
Intel
5SGXEA4K1F40C2LN
Intel
5SGXMABK1H40I2N
Intel