maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / MUN2213T1G
Référence fabricant | MUN2213T1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MUN2213T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUN2213T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 338mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-59 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN2213T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUN2213T1G-FT |
DTA114EM3T5G
ON Semiconductor
DTA143EM3T5G
ON Semiconductor
DTA144WM3T5G
ON Semiconductor
DTA115EM3T5G
ON Semiconductor
DTA123JM3T5G
ON Semiconductor
DTC123JM3T5G
ON Semiconductor
DTC114YM3T5G
ON Semiconductor
DTC114EM3T5G
ON Semiconductor
DTC123EM3T5G
ON Semiconductor
DTC143EM3T5G
ON Semiconductor
LFE2-70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E3F27E2LG
Intel
XC7VX485T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8N
Intel
5CEBA2U15I7
Intel
EPF10K200SRC240-3N
Intel
EPF10K50VQI240-2N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel