maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTA143EM3T5G
Référence fabricant | DTA143EM3T5G |
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Numéro de pièce future | FT-DTA143EM3T5G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTA143EM3T5G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 260mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-723 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA143EM3T5G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTA143EM3T5G-FT |
UNR911BG0L
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UNR911DG0L
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AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
AGL060V5-VQG100
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Microsemi Corporation
XC4VLX160-11FF1148C
Xilinx Inc.
EPF8452AQC160-3AC
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