maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / NSBA114EDXV6T1G
Référence fabricant | NSBA114EDXV6T1G |
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Numéro de pièce future | FT-NSBA114EDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSBA114EDXV6T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 500mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA114EDXV6T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSBA114EDXV6T1G-FT |
XN0111H00L
Panasonic Electronic Components
XN0111M00L
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XN0121000L
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XN0121100L
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XN0121200L
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XN0121600L
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XN0121E00L
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Xilinx Inc.
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Intel
5SGXEA3K3F40C2LN
Intel
10M50DAF672C6G
Intel
10AX048H2F34I2LG
Intel
10AX027H3F35E2LG
Intel
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Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC3E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX110DF29C3
Intel