maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / XN0121000L
Référence fabricant | XN0121000L |
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Numéro de pièce future | FT-XN0121000L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
XN0121000L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74A, SOT-753 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini5-G1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XN0121000L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | XN0121000L-FT |
UP0421000L
Panasonic Electronic Components
UP04210G0L
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UP0421100L
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XC6SLX16-2FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
5SGSED6K3F40C2L
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
A42MX09-3PL84
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel