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Référence fabricant | NSB8MT-E3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-NSB8MT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSB8MT-E3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB8MT-E3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSB8MT-E3/81-FT |
VS-ETH3006S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045BP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH03S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel