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Référence fabricant | NS12575T1R2NNV |
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Numéro de pièce future | FT-NS12575T1R2NNV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NS |
NS12575T1R2NNV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 9.15A |
Courant - Saturation | 18.08A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 7 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 101.7MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.309" (7.85mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NS12575T1R2NNV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NS12575T1R2NNV-FT |
NR10050T330M
Taiyo Yuden
NR10050T3R8N
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NR10050T680M
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NP04SA100M
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NP04SB3R3N
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XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
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XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
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LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation