maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / NR10050T330M
Référence fabricant | NR10050T330M |
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Numéro de pièce future | FT-NR10050T330M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NR |
NR10050T330M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 33µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.1A |
Courant - Saturation | 2.5A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 85.8 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 8.2MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.394" L x 0.386" W (10.00mm x 9.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.197" (5.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR10050T330M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NR10050T330M-FT |
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Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel