maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / NRVUB1620CTRT4G
Référence fabricant | NRVUB1620CTRT4G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NRVUB1620CTRT4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NRVUB1620CTRT4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 85ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVUB1620CTRT4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRVUB1620CTRT4G-FT |
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
BAS16UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21AVD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6433HTMA1
Infineon Technologies
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQI
Microchip Technology
EP2C35F484I8
Intel
EP4CE15F17A7N
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
ICE40LM4K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC208-1
Intel