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Référence fabricant | BAS21TMR6T1G |
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Numéro de pièce future | FT-BAS21TMR6T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS21TMR6T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 250V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-74 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21TMR6T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS21TMR6T1G-FT |
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS295(TE85L,F)
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BAR43C
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