maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / NRVBM2H100T3G
Référence fabricant | NRVBM2H100T3G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NRVBM2H100T3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWERMITE® |
NRVBM2H100T3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 680mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-216AA |
Package d'appareils du fournisseur | Powermite |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBM2H100T3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRVBM2H100T3G-FT |
MBRM140T1G
ON Semiconductor
NRVBM110ET1G
ON Semiconductor
MBRM110LT1G
ON Semiconductor
STPS120M
STMicroelectronics
NRVBM120ET3G
ON Semiconductor
NRVHPM120T3G
ON Semiconductor
STPS1L40M
STMicroelectronics
UPS5819E3TR7
Microsemi Corporation
NRVBM140T1G
ON Semiconductor
MBRM130LT1G
ON Semiconductor
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel