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Référence fabricant | NRVBM2H100T3G |
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Numéro de pièce future | FT-NRVBM2H100T3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWERMITE® |
NRVBM2H100T3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 680mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-216AA |
Package d'appareils du fournisseur | Powermite |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBM2H100T3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRVBM2H100T3G-FT |
MBRM140T1G
ON Semiconductor
NRVBM110ET1G
ON Semiconductor
MBRM110LT1G
ON Semiconductor
STPS120M
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NRVBM120ET3G
ON Semiconductor
NRVHPM120T3G
ON Semiconductor
STPS1L40M
STMicroelectronics
UPS5819E3TR7
Microsemi Corporation
NRVBM140T1G
ON Semiconductor
MBRM130LT1G
ON Semiconductor
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel