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ON Semiconductor NRVBM110ET1G

Numéro de pièce MFG
NRVBM110ET1G
quantité disponible
88540 Pièces
Prix de référence
USD 0.129584
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
POWERMITE® DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NRVBM110ET1G.pdf
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NRVBM110ET1G Caractéristiques

Référence fabricant NRVBM110ET1G
Numéro de pièce future FT-NRVBM110ET1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries POWERMITE®
NRVBM110ET1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de diode Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 10V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 595mV @ 2A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 1µA @ 10V
Capacité @ Vr, F -
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse DO-216AA
Package d'appareils du fournisseur Powermite
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NRVBM110ET1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NRVBM110ET1G-FT

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