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Référence fabricant | NRVBM110ET1G |
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Numéro de pièce future | FT-NRVBM110ET1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWERMITE® |
NRVBM110ET1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 10V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 595mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 10V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-216AA |
Package d'appareils du fournisseur | Powermite |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBM110ET1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRVBM110ET1G-FT |
MA2J11400L
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MA2J1140GL
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LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
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EP4SGX360FF35C3N
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