maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / NRH3010T1R2NN
Référence fabricant | NRH3010T1R2NN |
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Numéro de pièce future | FT-NRH3010T1R2NN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NR, H Type |
NRH3010T1R2NN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 1.48A |
Courant - Saturation | 1.7A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 78 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 120MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 120°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRH3010T1R2NN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRH3010T1R2NN-FT |
NRH3012T100MN
Taiyo Yuden
NRS3015T1R0NNGHV
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XA3S200A-4FTG256Q
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XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
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M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation