maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / NRS3015T2R2MNGHV
Référence fabricant | NRS3015T2R2MNGHV |
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Numéro de pièce future | FT-NRS3015T2R2MNGHV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NR, S Type |
NRS3015T2R2MNGHV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.5A |
Courant - Saturation | 1.48A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 69.6 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 64MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.059" (1.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS3015T2R2MNGHV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRS3015T2R2MNGHV-FT |
NS12555T330MN
Taiyo Yuden
NS12555T331MN
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NS12565T680MN
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NS12555T470MNV
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel