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Référence fabricant | NP180N04TUJ-E1-AY |
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Numéro de pièce future | FT-NP180N04TUJ-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NP180N04TUJ-E1-AY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 180A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14250pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta), 348W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263-7 |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP180N04TUJ-E1-AY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NP180N04TUJ-E1-AY-FT |
BSS138W E6433
Infineon Technologies
BSS138W L6327
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BSS138W L6433
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BSS209PW L6327
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BSS214NW L6327
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BSS223PW L6327
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BSS223PWH6327XTSA1
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AT6010ALV-4AC
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EX64-TQ100I
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XC4005XL-3VQ100I
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M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel