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Infineon Technologies BSS209PW L6327

Name: BSS209PW L6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS209PW L6327
Availability: InStock
Rating: 4.7 (274 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSS209PW L6327

quantité disponible: 93550 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSS209PW L6327.pdf

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BSS209PW L6327 Caractéristiques

Référence fabricant	BSS209PW L6327
Numéro de pièce future	FT-BSS209PW L6327
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSS209PW L6327 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	580mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 3.5µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.38nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	89.9pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	300mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-SOT323-3
Paquet / caisse	SC-70, SOT-323
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS209PW L6327 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSS209PW L6327-FT

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