maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs à l'oxyde de niobium / NOSB226M008R1800V
Référence fabricant | NOSB226M008R1800V |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NOSB226M008R1800V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OxiCap® NOS |
NOSB226M008R1800V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 22µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 8V |
ESR (résistance série équivalente) | 1.8 Ohms |
Courant - Fuite | 2.4µA |
Facteur de dissipation | 10% |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1411 (3528 Metric), 1210 |
Code de taille du fabricant | B |
Hauteur - assis (max) | 0.083" (2.10mm) |
Caractéristiques | Low ESR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 (3528 Metric) |
Taille / Dimension | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSB226M008R1800V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NOSB226M008R1800V-FT |
NOSD227M006R0100
AVX Corporation
NOSD337M004R0100
AVX Corporation
NOJE337M006RWJ
AVX Corporation
NOSE337M006R0080
AVX Corporation
NOSD227M004R0060
AVX Corporation
NOJE687M002RWJ
AVX Corporation
NOME227M006R0040
AVX Corporation
NOME227M006S0040
AVX Corporation
NOME337M004R0035
AVX Corporation
NOME337M006R0023
AVX Corporation
A10V10B-VQG80C
Microsemi Corporation
ICE40UP5K-UWG30ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55U484C8N
Intel
EP4CE30F23C9L
Intel
5SGSED8K3F40I3LN
Intel
5SGXEABN2F45I2LN
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3
Intel