maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs à l'oxyde de niobium / NOME227M006R0040
Référence fabricant | NOME227M006R0040 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NOME227M006R0040 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OxiCap® NOM |
NOME227M006R0040 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 220µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 6.3V |
ESR (résistance série équivalente) | 40 mOhms |
Courant - Fuite | 26.4µA |
Facteur de dissipation | 12% |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2917 (7343 Metric) |
Code de taille du fabricant | E |
Hauteur - assis (max) | 0.169" (4.30mm) |
Caractéristiques | Low ESR Multi-anode |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Package d'appareils du fournisseur | 2917 (7343 Metric) |
Taille / Dimension | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOME227M006R0040 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NOME227M006R0040-FT |
NOJP225M010RWJ
AVX Corporation
NOJP226M001RWJ
AVX Corporation
NOJP226M002RWJ
AVX Corporation
NOJP335M010RWJ
AVX Corporation
NOJP475M006RWJ
AVX Corporation
NOJP685M006RWJ
AVX Corporation
NOSW336M006R0250
AVX Corporation
NOJW107M001RWJ
AVX Corporation
NOJW107M002RWJ
AVX Corporation
NOJW107M004RWJ
AVX Corporation
LCMXO2-640HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-L1FBG676I
Xilinx Inc.
XC4010E-2BG225C
Xilinx Inc.
XA3S500E-4PQG208Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C8N
Intel
EP3C16U484C8N
Intel
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation